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国内刊号:11-1860/TG
国际刊号:0254-6051
发布日期:
作者:成亦飞, 罗飞, 刘大博, 周海涛, 田野, 胡春文, 罗炳威
单位:中国航发北京航空材料研究院, 北京 100095
关键词:W金属,WC,SiC,等离子体,石墨烯
基金:国家自然科学基金(51602300, 51602299)
利用等离子体热处理方法,分别在W金属和单晶Si基底表面直接制备了站立式石墨烯。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)对获得的样品进行了结构和成分的表征,并用硬度计对样品表面硬度进行了测量。结果表明,在W金属和单晶Si基底表面分别形成了成分为W2C-WC/石墨烯和SiC/石墨烯的复合层,且均匀的分布在相应的基底上。W2C-WC/石墨烯复合层制备成功后,金属W的表面硬度为502.95 HV0.01,与纯金属W基底的硬度450.41 HV0.01相比,表面硬度增加52.54 HV0.01,提高了11.6%;SiC/石墨烯复合层制备成功后,SiC/石墨烯表层的硬度为836.76 HV0.025,与单晶Si基底的硬度812.74 HV0.025相比,表面硬度增加24.02 HV0.025,提高了2.95%。
来源:2020年第7期
《金属热处理》期刊编辑部