金属热处理

北大核心,CA,JST,CSCD扩展版,WJCI

国内刊号:11-1860/TG

国际刊号:0254-6051

金属热处理杂志2022年第8期:脉冲偏压占空比对TiSiN薄膜结构和性能的影响

发布日期:

作者:魏永强, 顾艳阳, 赵重轻, 蒋志强

单位:郑州航空工业管理学院 航空宇航学院, 河南 郑州 450046

关键词:电弧离子镀,TiSiN薄膜,占空比,纳米硬度,耐蚀性

基金:国家自然科学基金(51401182);河南省科技攻关项目(222102220066);河南省教育厅自然科学重点项目(22B430030)

采用电弧离子镀方法,通过改变脉冲偏压占空比在M2高速钢和单晶硅片基体上沉积TiSiN薄膜,研究脉冲偏压占空比对TiSiN薄膜形貌结构、元素成分、相结构、纳米硬度和耐蚀性能的影响。脉冲偏压占空比为30%时,TiSiN薄膜表面的大颗粒数目达到最大值832个,占空比为60%时,大颗粒数目减小到451个;脉冲偏压占空比从20%增加到50%,Si试样表面的膜层厚度从390.8 nm增加到2.339 μm;占空比为30%时,Si在薄膜中的含量最高为13.88at%,(220)晶面为择优取向,晶粒尺寸达到最小值5.05 nm,硬度达到28.34 GPa,自腐蚀电流密度达到最小0.5306 μA/cm2;占空比为40%时,(111)晶面为择优取向,Si的含量降低到最小值0.46at%;占空比为50%时,(111)晶面的晶粒尺寸达到13.22 nm,硬度达到最大值42.08 GPa,自腐蚀电位达到最高值-0.324 V(vs SCE)。40%以上的占空比可以减少大颗粒缺陷数量,降低TiSiN薄膜中的Si含量,改变TiSiN薄膜晶粒生长的择优取向,提高薄膜的硬度和耐蚀性能。

来源:2022年第8期

《金属热处理》期刊编辑部

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