金属热处理

作者：刘春泉, 熊芬, 马佳仪, 周锦添, 梁泽巽, 黄建平

单位：1.湖南工学院 材料科学与工程学院, 湖南 衡阳 421002; ；2.湖南工学院 计算机科学与工程学院, 湖南 衡阳 421002

关键词：MoS₂薄膜,中低温退火,结晶性

基金：湖南省科技人才托举工程项目“小荷”科技人才专项(2023TJ-X10);湖南省自然科学基金(2023JJ50108);湖南省创新型省份建设专项科普专题项目(2023ZK4316);湖南省教育厅科学研究项目(20A137, 22C0629);湖南省应用特色学科材料科学与工程学科(湘教通[2022]351);衡阳市“小荷”科技人才项目(衡市科协字[2022]68);湖南工学院自科培育项目(2022HY007);湖南省大学生创新创业训练计划项目(S202411528133,S202311528111,

采用射频(RF)磁控溅射室温沉积制备了不同厚度的MoS2薄膜,然后在95%Ar+5%H2混合气氛中进行不同退火处理,采用原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱、四探针和霍尔测试仪系统地研究了不同退火条件对MoS2薄膜结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明:在硅基片生长的MoS2薄膜均匀连续,退火能有效去除MoS2中的杂质氧进而改善其结晶性、稳定性和结构完整性。溅射沉积40 min(厚度约为300 nm)时MoS2薄膜的综合性能较好,经500 ℃退火60 min时,MoS2薄膜的结晶性和电学性能均较好。

来源：2024年第7期

《金属热处理》期刊编辑部

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